Березовец, В.А.; Моисеев, К.Д.; Нижанковский, В.И.; Михайлова, М.П.; Парфеньев, Р.В.; Яковлев, Ю.П.
(Физика низких температур, 2007)
В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием ...